Robert F. Karlicek, Jr.

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Ian T. FergusonSouthern Polytechnic College of Engineering and Engineering Technology, Kennesaw State UniversityDirección de correo verificada de kennesaw.edu
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaDirección de correo verificada de mse.ufl.edu
Elefterios LidorikisUniversity of IoanninaDirección de correo verificada de uoi.gr
Mary CrawfordSenior Scientist, Sandia National LaboratoriesDirección de correo verificada de sandia.gov
E. Fred Schubert, Future Chips Conste...Rensselaer Polytechnic InstituteDirección de correo verificada de rpi.edu
Suzanne MohneyPenn StateDirección de correo verificada de psu.edu
Jeff TsaoSandia National LaboratoriesDirección de correo verificada de sandia.gov
Jonathan J. Wierer, Jr.North Carolina State University, Department of Electrical and Computer EngineeringDirección de correo verificada de ncsu.edu
Michael E. ColtrinDirección de correo verificada de sandia.gov
Daniel KoleskeTechnical Staff, Sandia National LaboratoriesDirección de correo verificada de sandia.gov
Arthur J. FischerSandia National LaboratoriesDirección de correo verificada de sandia.gov
Zhe Chuan FengGuangxi UniversityDirección de correo verificada de ntu.edu.tw
T. Paul ChowProfessor, Rensselaer Polytechnic InstituteDirección de correo verificada de rpi.edu
Christian WetzelRensselaer Polytechnic InstituteDirección de correo verificada de ieee.org
Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TDirección de correo verificada de che.ufl.edu
Andras PoppeBME Elektronikus Eszközök TanszékeDirección de correo verificada de eet.bme.hu
Zhongda LiQorvoDirección de correo verificada de unitedsic.com
R M BiefeldRetiredDirección de correo verificada de sandia.gov
An MaoKetra. IncDirección de correo verificada de goketra.com

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Solid State Lighting III-V Materials Crystal Growth


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Toward smart and ultra‐efficient solid‐state lighting JY Tsao, MH Crawford, ME Coltrin, AJ Fischer, DD Koleske, ... Advanced Optical Materials 2 (9), 809-836, 2014	399	2014
A modified pulsed gradient technique for measuring diffusion in the presence of large background gradients RF Karlicek Jr, IJ Lowe Journal of Magnetic Resonance (1969) 37 (1), 75-91, 1980	360	1980
Inductively coupled plasma etching of GaN RJ Shul, GB McClellan, SA Casalnuovo, DJ Rieger, SJ Pearton, ... Applied physics letters 69 (8), 1119-1121, 1996	301	1996
Thermal management for LED applications CJM Lasance, A Poppe Springer, 2014	269	2014
Growth of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes on silicon by metalorganic vapor phase epitaxy CA Tran, A Osinski, RF Karlicek, I Berishev Applied physics letters 75 (11), 1494-1496, 1999	227	1999
Mechanism of hydrogen absorption by lanthanum-nickel (LaNi5) WE Wallace, RF Karlicek, H Imamura Journal of Physical Chemistry 83 (13), 1708-1712, 1979	201	1979
III-Nitride based light emitting diodes and applications TY Seong, J Han, H Amano, H Morkoç Springer, 2017	198	2017
Competition between band gap and yellow luminescence in GaN and its relevance for optoelectronic devices W Grieshaber, EF Schubert, ID Goepfert, RF Karlicek Jr, MJ Schurman, ... Journal of Applied Physics 80 (8), 4615-4620, 1996	177	1996
Microcavity effects in GaN epitaxial films and in Ag/GaN/sapphire structures A Billeb, W Grieshaber, D Stocker, EF Schubert, RF Karlicek Jr Applied physics letters 70 (21), 2790-2792, 1997	152	1997
Monolithic integration of light-emitting diodes and power metal-oxide-semiconductor channel high-electron-mobility transistors for light-emitting power integrated circuits in … Z Li, J Waldron, T Detchprohm, C Wetzel, RF Karlicek, TP Chow Applied Physics Letters 102 (19), 2013	151	2013
Electrical and structural analysis of high-dose Si implantation in GaN JC Zolper, HH Tan, JS Williams, J Zou, DJH Cockayne, SJ Pearton, ... Applied physics letters 70 (20), 2729-2731, 1997	135	1997
Analysis of a thin AlN interfacial layer in Ti/Al and Pd/Al ohmic contacts to -type GaN BP Luther, JM DeLucca, SE Mohney, RF Karlicek Jr Applied physics letters 71 (26), 3859-3861, 1997	133	1997
Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes DZ Garbuzov, JC Connolly, RF Karlicek Jr, IT Ferguson US Patent 6,404,125, 2002	126	2002
Tiled illumination assembly and related methods AA Erchak, RF Karlicek, D Doyle, G Taraschi, MA Joffe, C Hoepfner US Patent 8,092,064, 2012	125	2012
Time-resolved photoluminescence measurements of InGaN light-emitting diodes M Pophristic, FH Long, C Tran, IT Ferguson, RF Karlicek Jr Applied Physics Letters 73 (24), 3550-3552, 1998	118	1998
GaN LED with solderable backside metal SR Gibb, RF Karlicek, PK Mukerji, HS Venugopalan, I Eliashevich US Patent 7,190,005, 2007	111	2007
LED color management and display systems AA Erchak, M Lim, NI Nemchuk, AL Pokrovskiy, RF Karlicek Jr, R Kumar US Patent 7,959,341, 2011	99	2011
Wavelength-converting light-emitting devices AA Erchak, M Lim, E Lidorikis, JA Venezia, MG Brown, RF Karlicek Jr US Patent 7,196,354, 2007	99	2007
Wavelength-converting light-emitting devices J Alexei A. Erchak, Michael Lim, Elefterios Lidorikis, Jo A. Venezia ... US Patent 7,196,354, 2007	99	2007
Semiconductor device separation using a patterned laser projection M Gottfried, MG Brown, I Eliashevich, RF Karlicek Jr, JE Nering US Patent 6,902,990, 2005	97	2005

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